Выдающийся советский ученый в области физики диэлектриков и полупроводников

Бенцион Моисеевич Вул - родился 22 мая 1903 г. в г. Белая Церковь., что на Киевщине, в семье кузнеца.

Участвовал в гражданской войне в рядах легендарной армии Буденного. В 1920 году вступил в комсомол. Вул ведет организационную работу среди молодежи. В 1921г. был избран секретарем городского комитета комсомола г. Белая Церковь. По рекомендации комсомола поступил в Киевский политехнический институт на электротехнический факультет.

В 1928 г. Бенцион Моисеевич успешно заканчивает институт. Через год после защиты диссертации «Об электрической очистке газа» устраивается работать в КПИ.

1930 года Вулу дают рекомендацию в высшую аспирантуру Академии наук СССР (Ленинград). С 1931 по 1933 гг. занимает должность ассистента физико-технического факультета Ленинградского политехнического института. В 1933 по предложению академика С.И.Вавилова Бенцион Моисеевич организует лабораторию физики диэлектриков в ФИАН. 1934 г. АН СССР вместе с ФИАН была переведена в Москву. Под руководством Вула лаборатория вырастает в большой коллектив.

В 1935 г. защищает диссертацию «Электрический пробой диэлектриков», приобретает ученую степень доктора физико-математических наук. 1939г. Б.М.Вула избирают член-корреспондентом, а в 1972 г. - действительным членом Академии наук СССР.

Вся дальнейшая научная деятельность Бенциона Моисеевича связана с физикой диэлектриков и полупроводников. В этой области науки им проведены огромные исследования и получены результаты фундаментального значения.Первая его работа была посвящена процессам осаждения аэрозолей в электрических фильтрах для очистки дымовой завесы тепловых электрических станций и заводов. Это позволяло ловить продукты неполного сгорания, что выносились газами в атмосферу.Значительный вклад Бенциона Моисеевича отмечают в исследовании электрической прочности твердых диэлектриков и газов.

При исследовании электрической прочности диэлектриков открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучил электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях. Вел исследования твердых диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, явлений в диэлектриках при сильном гамма-облучении.
Исследования, проведенные Б.М.Вулом в 30-е годы по электронной прочности диэлектриков, составили научный фундамент для решения очень многих технических задач. В 1932 г. вышел первый учебник «Физика диэлектриков», в составе авторского коллектива которого был и Бенцион Моисеевич.

Со второй половины 40-х годов Б.М. Вул начал исследования по физике полупроводников. Работы по транзисторам в нашей стране начались в трех научных центрах — ФТИ, ФИАНе и МГУ. Работы в ФИАНе были возглавлены Вулом; в его лаборатории были получены полупроводниковые диоды, транзисторы и солнечные батареи. За создание первых полупроводниковых лазеров Б.М. Вул и группа его сотрудников (а также группа сотрудников ФТИ) были удостоены Ленинской премии (1964 г.).

Под руководством Бенциона Моисеевича коллектив лаборатории ФИАН впервые в Советском Союзе создал в 1962 году полупроводниковый лазер.Фундаментальное значение имеют работы Вула последних лет по изучению электропроводности в компенсированных полупроводниках, исследования проведенные на основе арсенид галлия.

На В 1951 г. был назначен членом Главной редакции Большой Советской Энциклопедии, главным редактором «Физического энциклопедического словаря».

Б.М.Вул был вице-президентом Международного союза чистой и прикладной физики, членом исполкома Европейского физического общества, неоднократно принимал участие в Пагуошских конференциях ученых. Его работы публиковались за рубежом на английском, немецком, французском, чешском, венгерском и китайском языках.

За выдающиеся достижения С.М.Вул был награжден пятью орденами Ленина, орденом Красной Звезды, орденом «Знак Почета», многими медалями. Ему присуждено в 1964 г. Ленинскую и Государственную премии, в 1969 г. он удостоен звания Героя Социалистического Труда. Президиум Чехословацкой академии наук наградил Б.М.Вула Золотой медалью за заслуги перед наукой и человечеством.

До последнего дня своей жизни продолжал научную работу. Скончался 9 апреля 1985 года. Похоронен в Москве на Новодевичьем кладбище.

Материалы подготовлены: О.А. Хайбуллиной, зав. отделом по информационно-библиотечному обслуживанию и зав. сектором информационно-библиотечного обслуживания ФМФ, ИЭУиСТ, ГРИНТ С.А. Молчановой, 8-е зд. КНИТУ-КАИ, г. Казань, ул. Четаева, д.18а, 2-й эт., к. 231.

Печать Новость